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英伟达要求三星等用台积电 3nm 产 NVHBM 基础裸片
2026/10/19 — 10/19 03:16·1 个来源（全部）·1 篇报道（全部）·入选 10-19 日报
核心速览 (Key Takeaways)
- 据路透社援引消息人士报道，英伟达已要求三星、SK 海力士和美光用台积电 3nm 工艺为其定制 NVHBM 内存生产基础裸片，三星已同意。
- 若属实，这将是三星首次使用台积电工艺。
事件背景与详细解读
据路透社援引消息人士报道，英伟达已要求三星、SK 海力士与美光为其定制的 NVHBM 内存生产基础裸片，且指定使用台积电 3nm 工艺。三家内存厂商中，三星已同意这一要求。报道指出，这将是三星首次使用台积电工艺。目前披露的信息停留在这一层面：英伟达提出了工艺与代工方要求，三星作出同意回应，SK 海力士与美光是否接受未见说明，台积电方面的态度也未在材料中提及。
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最新进展据路透社援引消息人士报道，英伟达已要求三星、SK 海力士和美光用台积电 3nm 工艺为其定制 NVHBM 内存生产基础裸片，三星已同意，这将是三星首次使用台积电工艺。
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据路透社援引消息人士报道，英伟达已要求三星、SK 海力士和美光用台积电 3nm 工艺为其定制 NVHBM 内存生产基础裸片，三星已同意，这将是三星首次使用台积电工艺。
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