英特尔 CTO 称前沿晶圆产能最多翻倍

2026 年 10 月 23 日，IT 之家报道，英特尔首席技术官（CTO）普什卡 · 拉纳德（Pushkar Ranade）在 Dwarkesh 播客中谈到前沿晶圆产能的扩张空间。他被问及世界上是否有足够工具把前沿晶圆产量提高 10 倍，回答是「不是 10 倍，但可能达到 2 倍，是的」，即即便资金充足，全球尖端晶圆产量的现实增长上限约为两倍。

拉纳德把这一限制归于整条半导体供应链协同扩产的能力，而非某个单一环节。他提到，AI 计算能力过去十年大约以每年三倍的速度增长，但制造先进芯片所需的关键设备、洁净室和晶圆厂规模正成为新的产能天花板。其中，ASML 每年生产的 EUV 光刻机不足 100 台，到本十年末也难以大幅扩产，而英特尔、台积电以及 SK 海力士等存储厂商共同争夺这些设备。

在时间节奏上，拉纳德表示，今天下单的设备通常约 18 个月后才能交付，意味着产能要到 2028 年前后才能落地；新建晶圆厂也无法自动带来更多晶圆，重要原因是设备供应跟不上。若要整体提升产量，设备供应商、其上游供应商以及更底层的子供应商都必须同步增加产能。报道到此为止，未提及英特尔自身产能计划或相关投资安排。