三星与 SK 海力士 2027 年起向英伟达 Rubin Ultra 供应 8Hi HBM4

2026 年 10 月 26 日，韩媒 ZDNET Korea 报道称，三星电子与 SK 海力士计划在 2027 年第 2 季度实现八层堆叠（8Hi）HBM4 内存堆栈的全面量产，并向 NVIDIA（英伟达）出货。报道提到，英伟达在 2026 年第 3 季度就 8Hi HBM 供应事宜与这两家原厂进行了认真讨论，计划调整主要源于英伟达考虑在 Rubin Ultra 和标准 Rubin 中应用 8Hi HBM4（E），以优化整体供应与性能。

与此同时，这两家厂商当前产出的 HBM4 内存主要为容量更大的 12Hi 版本，但更多 DRAM Die 意味着同等带宽下成本更高，堆叠层数增加也带来良率挑战。有报道指出，散热与良率问题促使三星电子和 SK 海力士调整 HBM4 策略，计划从 2027 年第二季度起大幅增加面向英伟达下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 的 8 层 HBM4 内存供应，而非此前被广泛看好的 12 层堆叠方案。此外，英伟达已将 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的规格调整为系统合计 2TB HBM4，这应对应 8Hi 32GB 的 HBM4 堆栈。目前，相关计划仍处于报道阶段，量产时间点指向 2027 年第二季度。