高通 HBC 内存架构完成验证,AI250 明年出样
2026/11/03 — 11/03 07:18·1 个来源(全部)·1 篇报道(全部)
核心速览 (Key Takeaways)
- 据 IT 之家报道,高通宣布其第一代高带宽计算(HBC)技术已完成实验室硬件验证,实现 133 TB/s 内存带宽。
- 该技术采用多层 LPDDR 垂直堆叠以替代传统 HBM,搭载该架构的 AI250 加速器计划于明年上半年出样。
事件背景与详细解读
高通在 2026 年 11 月 2 日宣布,其第一代高带宽计算(HBC)技术已在美国圣迭戈实验室完成硬件验证,验证了该技术的完整读写能力和近存计算能力,实现 133 TB/s 内存带宽。HBC 是高通针对 AI 推理场景开发的近存计算架构,通过硅通孔(TSV)将多层 LPDDR 内存垂直堆叠在计算芯片上方,堆叠结构底部集成一颗计算芯片负责近存计算,使数据传输距离从传统架构中的数厘米缩短至数微米。
高通此前公布的技术方案显示,该设计以 LPDDR 替代传统 HBM,并借助 LPDDR 相对较低的功耗和计算与内存的紧密集成,提升 AI 推理场景下的数据搬运效率。搭载 HBC 架构的 AI250 加速器计划于 2027 年上半年出样,目前尚未到出样阶段,报道将该进展描述为这一以 LPDDR 替代 HBM 的推理内存方案进入产品化阶段。
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IT 之家讯,高通宣布其第一代高带宽计算(HBC)技术已完成实验室硬件验证,实现 133 TB/s 内存带宽。该技术采用多层 LPDDR 内存垂直堆叠设计以替代传统 HBM,搭载该架构的 AI250 加速器计划于明年上半年出样。
了解高通采用 LPDDR 替代 HBM 的新型 AI 推理内存架构及其最新进展。
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