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輝達要求三星等用台積電 3nm 產 NVHBM 基礎裸片
2026/10/19 — 10/19 03:16·1 個來源（全部）·1 篇報道（全部）·入選 10-19 日報
核心速覽 (Key Takeaways)
- 據路透社援引訊息人士報道，輝達已要求三星、SK 海力士和美光用台積電 3nm 工藝為其定製 NVHBM 記憶體生產基礎裸片，三星已同意。
- 若屬實，這將是三星首次使用台積電工藝。
事件背景與詳細解讀
據路透社援引訊息人士報道，輝達已要求三星、SK 海力士與美光為其定製的 NVHBM 記憶體生產基礎裸片，且指定使用台積電 3nm 工藝。三家記憶體廠商中，三星已同意這一要求。報道指出，這將是三星首次使用台積電工藝。目前披露的資訊停留在這一層面：輝達提出了工藝與代工方要求，三星作出同意回應，SK 海力士與美光是否接受未見說明，台積電方面的態度也未在材料中提及。
AI 綜合 1 篇報道生成 · 更新於 2 小時前
最新進展據路透社援引訊息人士報道，輝達已要求三星、SK 海力士和美光用台積電 3nm 工藝為其定製 NVHBM 記憶體生產基礎裸片，三星已同意，這將是三星首次使用台積電工藝。
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據路透社援引訊息人士報道，輝達已要求三星、SK 海力士和美光用台積電 3nm 工藝為其定製 NVHBM 記憶體生產基礎裸片，三星已同意，這將是三星首次使用台積電工藝。
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