輝達下代 Groq LPU 晶片被曝轉向 3D 堆疊 DRAM
2026/10/21 — 10/21 16:16·2 個來源（全部）·2 篇報道（全部）
核心速覽 (Key Takeaways)
- 據 IT 之家援引韓媒 ZDNET Korea 報道，輝達下代 Groq LPU AI 推理加速器有望採用基於 TSV 工藝的 3D 堆疊 DRAM，放棄當前代的大容量 SRAM 快取設計。
- 報道稱 SRAM 容量小、製程升級收益有限，同樣走大 SRAM 路線的 Cerebras 已預告 CS-6 將 3D 垂直整合 DRAM。
事件背景與詳細解讀
2026 年 10 月 21 日，IT 之家援引韓媒 ZDNET Korea 前一日（當地時間 10 月 20 日）的報道稱，輝達下代 Groq LPU AI 推理加速器晶片有望轉向基於 TSV（矽通孔）工藝的 3D 堆疊 DRAM 方案，放棄當前一代所採用的大容量 SRAM 快取設計。報道給出的理由是，SRAM 容量較小，製程升級帶來的密度收益有限，在大型模型表現和晶片迭代上存在固有侷限。
同一報道還提到，同樣走大 SRAM 技術路線的 Cerebras 此前已預告，未來的 CS-6 將採用 3D 垂直整合 DRAM。目前可核對的資訊停留在這一層面：報道只說明下代 Groq LPU 有望採用 3D 堆疊 DRAM，未給出具體時間表、產品版本號或效能數字，輝達方面也未在材料中作出回應。
AI 綜合 1 篇報道生成 · 更新於 7 小時前
最新進展據 cnBeta 報道，AI 推理晶片公司 Groq 計劃在其下一代 LPU 產品中引入 3D 堆疊 DRAM 技術以替代 SRAM。此舉旨在大幅提升晶片儲存容量，以應對不斷增長的大模型推理需求。
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據 cnBeta 報道，AI 推理晶片公司 Groq 計劃在其下一代 LPU 產品中引入 3D 堆疊 DRAM 技術以替代 SRAM。此舉旨在大幅提升晶片儲存容量，以應對不斷增長的大模型推理需求。
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cnBetaAI 評分 63據 IT 之家 援引韓媒 ZDNET Korea 報道，輝達下代 Groq LPU AI 推理加速器晶片有望採用基於 TSV 工藝的 3D 堆疊 DRAM 方案，放棄當前代大容量 SRAM 的快取設計。報道稱 SRAM 容量較小、製程升級密度收益有限，在大型模型表現和晶片迭代上存在固有侷限。同樣走大 SRAM 路線的 Cerebras 此前已預告 CS-6 將 3D 垂直整合 DRAM。
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