英特爾 CTO 稱前沿晶圓產能最多翻倍

2026 年 10 月 23 日，IT 之家報道，英特爾技術長（CTO）普什卡 · 拉納德（Pushkar Ranade）在 Dwarkesh 播客中談到前沿晶圓產能的擴張空間。他被問及世界上是否有足夠工具把前沿晶圓產量提高 10 倍，回答是「不是 10 倍，但可能達到 2 倍，是的」，即即便資金充足，全球尖端晶圓產量的現實增長上限約為兩倍。

拉納德把這一限制歸於整條半導體供應鏈協同擴產的能力，而非某個單一環節。他提到，AI 計算能力過去十年大約以每年三倍的速度增長，但製造先進晶片所需的關鍵裝置、潔淨室和晶圓廠規模正成為新的產能天花板。其中，ASML 每年生產的 EUV 光刻機不足 100 臺，到本十年末也難以大幅擴產，而英特爾、台積電以及 SK 海力士等儲存廠商共同爭奪這些裝置。

在時間節奏上，拉納德表示，今天下單的裝置通常約 18 個月後才能交付，意味著產能要到 2028 年前後才能落地；新建晶圓廠也無法自動帶來更多晶圓，重要原因是裝置供應跟不上。若要整體提升產量，裝置供應商、其上游供應商以及更底層的子供應商都必須同步增加產能。報道到此為止，未提及英特爾自身產能計劃或相關投資安排。