三星與 SK 海力士 2027 年起向輝達 Rubin Ultra 供應 8Hi HBM4

2026 年 10 月 26 日，韓媒 ZDNET Korea 報道稱，三星電子與 SK 海力士計劃在 2027 年第 2 季度實現八層堆疊（8Hi）HBM4 記憶體堆疊的全面量產，並向 NVIDIA（輝達）出貨。報道提到，輝達在 2026 年第 3 季度就 8Hi HBM 供應事宜與這兩家原廠進行了認真討論，計劃調整主要源於輝達考慮在 Rubin Ultra 和標準 Rubin 中應用 8Hi HBM4（E），以最佳化整體供應與效能。

與此同時，這兩家廠商當前產出的 HBM4 記憶體主要為容量更大的 12Hi 版本，但更多 DRAM Die 意味著同等頻寬下成本更高，堆疊層數增加也帶來良率挑戰。有報道指出，散熱與良率問題促使三星電子和 SK 海力士調整 HBM4 策略，計劃從 2027 年第二季度起大幅增加面向輝達下一代 AI 加速器 Rubin Ultra 的 8 層 HBM4 記憶體供應，而非此前被廣泛看好的 12 層堆疊方案。此外，輝達已將 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的規格調整為系統合計 2TB HBM4，這應對應 8Hi 32GB 的 HBM4 堆疊。目前，相關計劃仍處於報道階段，量產時間點指向 2027 年第二季度。