英伟达下代 Groq LPU 芯片被曝转向 3D 堆叠 DRAM
2026/10/21 — 10/21 16:16·2 个来源（全部）·2 篇报道（全部）
核心速览 (Key Takeaways)
- 据 IT 之家援引韩媒 ZDNET Korea 报道，英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM，放弃当前代的大容量 SRAM 缓存设计。
- 报道称 SRAM 容量小、制程升级收益有限，同样走大 SRAM 路线的 Cerebras 已预告 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。
事件背景与详细解读
2026 年 10 月 21 日，IT 之家援引韩媒 ZDNET Korea 前一日（当地时间 10 月 20 日）的报道称，英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望转向基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案，放弃当前一代所采用的大容量 SRAM 缓存设计。报道给出的理由是，SRAM 容量较小，制程升级带来的密度收益有限，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。
同一报道还提到，同样走大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告，未来的 CS-6 将采用 3D 垂直集成 DRAM。目前可核对的信息停留在这一层面：报道只说明下代 Groq LPU 有望采用 3D 堆叠 DRAM，未给出具体时间表、产品版本号或性能数字，英伟达方面也未在材料中作出回应。
AI 综合 1 篇报道生成 · 更新于 7 小时前
最新进展据 cnBeta 报道，AI 推理芯片公司 Groq 计划在其下一代 LPU 产品中引入 3D 堆叠 DRAM 技术以替代 SRAM。此举旨在大幅提升芯片存储容量，以应对不断增长的大模型推理需求。
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据 cnBeta 报道，AI 推理芯片公司 Groq 计划在其下一代 LPU 产品中引入 3D 堆叠 DRAM 技术以替代 SRAM。此举旨在大幅提升芯片存储容量，以应对不断增长的大模型推理需求。
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cnBetaAI 评分 63据 IT 之家 援引韩媒 ZDNET Korea 报道，英伟达下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案，放弃当前代大容量 SRAM 的缓存设计。报道称 SRAM 容量较小、制程升级密度收益有限，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。同样走大 SRAM 路线的 Cerebras 此前已预告 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。
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