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三星電子 Q3 營業利潤首破百萬億韓元,HBM4 佔 HBM 營收 60%

2026/10/29 — 10/29 16:21·3 個來源(全部)·3 篇報道(全部)

核心速覽 (Key Takeaways)

  • 三星電子第三季度營收 195.3 萬億韓元、營業利潤 107.4 萬億韓元,環比增長 14% 和 20%,為全球首家單季營業利潤突破 100 萬億韓元的科技企業。
  • 公司在業績電話會上稱,HBM4 銷售額環比增長超 3 倍,佔 HBM 營收 60%。
  • 全年資本開支指引為 84.4 萬億韓元,重點投向儲存晶圓廠與美國泰勒晶圓廠;
  • 公司預計 AI 基礎設施需求將使儲存供需偏緊延續至 2028 年。

事件背景與詳細解讀

2026 年 10 月 29 日,三星電子公佈 2026 年第三季度詳細財報。當季營收 195.25 萬億韓元,同比增長 127%,創歷史新高,為連續第四個季度重新整理收入與利潤紀錄;營業利潤 107.44 萬億韓元,同比增長 783%,環比增長 20%,營業利潤率升至 55%,營業利潤首次突破 100 萬億韓元,三星因此成為全球首家單季營業利潤破 100 萬億韓元的科技企業。淨利潤 75.21 萬億韓元,低於市場預估的 89.06 萬億韓元;其中第三季度財務費用 9.5 萬億韓元使稅前利潤降至 98.5 萬億韓元,疊加 23.4 萬億韓元所得稅,最終淨利率為 38.5%,較二季度的 41.8% 回落。

業績核心來自半導體。DS 半導體業務第三季度銷售額 147.1 萬億韓元,營業利潤 106.5 萬億韓元,幾乎貢獻集團全部營業利潤;其中儲存業務銷售額 140.7 萬億韓元,環比增長 16%,同比增長 427%,主要受 HBM4 放量、伺服器 SSD 需求強勁以及儲存價格全面上漲推動。HBM4 銷售額環比增長超 3 倍,佔 HBM 營收 60%,DRAM 與 NAND 價格同步上行;晶圓代工盈利修復,2nm HPC 訂單大幅增長。另據業績電話會披露,MX 與顯示業務靠摺疊屏和高端面板改善盈利,匯率走弱拖累利潤約 10 萬億韓元。

同一天,ETtech 在報道中給出的營收為 195.3 萬億韓元(約 1460 億美元),與華爾街見聞的 195.25 萬億韓元在數字上略有出入;當季利潤與營收均連續第四個季度創紀錄。東方財富稱該季度營收 195.3 萬億韓元、營業利潤 107.4 萬億韓元,環比增長分別為 14% 和 20%。資本開支方面,第三季度資本開支 29 萬億韓元,全年指引 84.4 萬億韓元,其中 DS 半導體約 76.8 萬億韓元,重點投向儲存晶圓廠和美國泰勒晶圓廠的先進製程產能,顯示業務資金用於產線升級。股東回報方面,公司計劃 2026 年股東回報總額 90–110 萬億韓元,包括持續分紅與回購;並預計 AI 基礎設施需求將使儲存供需偏緊延續至 2028 年。

AI 綜合 3 篇報道生成 · 更新於 57 分鐘前

最新進展三星電子在第三季度業績電話會上稱,受 AI 儲存業務拉動,當季營收 195.3 萬億韓元、營業利潤 107.4 萬億韓元,環比分別增長 14% 和 20%,成為全球首家單季營業利潤突破 100 萬億韓元的科技企業。HBM4 銷售額環比增長超 3 倍,佔 HBM 營收 60%,公司全年資本開支指引為 84.4 萬億韓元,重點投向儲存晶圓廠與美國泰勒晶圓廠。公司預計 AI 基礎設施需求將使儲存供需偏緊延續至 2028 年。

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  1. 三星電子在第三季度業績電話會上稱,受 AI 儲存業務拉動,當季營收 195.3 萬億韓元、營業利潤 107.4 萬億韓元,環比分別增長 14% 和 20%,成為全球首家單季營業利潤突破 100 萬億韓元的科技企業。HBM4 銷售額環比增長超 3 倍,佔 HBM 營收 60%,公司全年資本開支指引為 84.4 萬億韓元,重點投向儲存晶圓廠與美國泰勒晶圓廠。公司預計 AI 基礎設施需求將使儲存供需偏緊延續至 2028 年。

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  2. 據 ETtech 報道,三星電子 7-9 月季度營收升至 195.3 萬億韓元(約 1460 億美元)的歷史新高,利潤與營收連續第四個季度雙雙創下紀錄。報道將這一表現歸因於 AI 熱潮帶動的晶片需求。

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  3. 據華爾街見聞報道,三星電子第三季度營收 195.25 萬億韓元、營業利潤 107.44 萬億韓元,均連續第四個季度重新整理紀錄,半導體部門幾乎貢獻全部營業利潤。儲存業務受 HBM4 放量、伺服器 SSD 需求和漲價推動,銷售額同比大增 427%;淨利潤 75.21 萬億韓元,低於市場預期。

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